概要：通过使用高效磷光体系材料和覆以升空有机闪烁结构，因应自有的SVGA060全数字信号电路系统架构CMOS硅基驱动电路，取得了闪烁峰坐落于535nm的高亮度单色绿光、0.6英寸、800×600分辨率OLED微显示器件，仅次于亮度平均20000cd/m2。其起亮电压为2.6V，亮度从20cd/m2到20000cd/m2的驱动电压摆幅为2.7V，仅次于电流效率为24.43cd/A。电流密度为20mA/cm2时，色座标CIEX＝0.286、CIEY＝0.665。

该器件在1000cd/m2和500cd/m2亮度下的半衰期为42559h和186208h。　　0章节　　近年来，有机电致发光显示器（OLED）由于具备视角长、响应速度慢、轻巧以及较更容易构建仅有彩色平板表明等优点[1-2]，受到了很大了的注目，具备辽阔的应用于前景。

　　传统的底升空OLED以TFT作为驱动电路时，不存在开口亲率的问题，尤其是针对微表明一类像素大于的显示器件，这一问题就更加变得引人注目。OLED微型显示器作为硅基顶升空有机闪烁器件[3-4]，光从顶端的半透明或半透明的电极出射，所有驱动电路可置放硅基衬底上，不利于构建闪烁器件与成熟期硅基电路的构建，同时还防止了传统底发射器件驱动电路和表明闪烁面积相互竞争的问题，提升了显示器件的开口亲率。　　OLED显示器中所用的材料分成荧光材料和磷光材料。根据磁矩统计资料估计，在电唤起的条件下，空穴和电子融合而出的单线态和三线态激子的几率分别为25%和75%。

对荧光材料而言，它不能通过单线态-单线态能量转移的方式来构成单线态激子，因而荧光材料制取的OLED显示器的仅次于内量子效率为25%。而对于磷光材料而言，它既能通过三线态-三线态能量转移的方式来构成三线态激子，又能通过单线态-单线态能量转移的方式然后经单线态-三线态的系间窜越来构成单线态激子，因而由磷光材料构成的器件的仅次于内量子效率平均100%。很多文献报导[5-11]使用了磷光材料取得了高性能的OLED器件，尤其是单色绿光OLED器件。但是这些报导都是基于底升空的OLED表明结构。

本文利用磷光材料构成单层闪烁层，煮镀在云南北方奥雷德公司研发的SVGA060硅基板上，从而制取出有高亮度覆以升空单色绿光OLED微显示器件。　　1设计思路　　图1为OLED微型显示器结构示意图，从图上可以显现出，OLED微型显示器由PCB背板、硅基驱动电路、金属阳极、OLED有机闪烁薄膜层、半透明阴极、彩色过滤层和玻璃盖片包含。其中彩色过滤层仅限于制取彩色OLED微型显示器用于。　　图1OLED微型显示器结构示意图　　Fig.1SchematicofOLEDmicro-displaydevice　　1.1硅基CMOS驱动电路　　云南北方奥雷德公司所研发的SVGA060硅基板，使用仅有数字系统架构的CMOS驱动电路设计，表明尺寸为0.6in，分辨率为800×600。

其每个像素点由R、G、B三个亚像素点包含，按横向佩条状排序（如图2右图）。在本文单色绿光器件中，3个亚像素点皆放绿光。

每个像素的尺寸、闪烁面积与表明面积的频率、表明区域尺寸如表格1右图。　　图2像素排序图　　Fig.2Pxielarrayarchitecture　　表格1像素尺寸涉及信息列表　　Table1Relatedparametersofthepixel　　SVGA060硅基板驱动驱动电路功能结构如图3右图。主要由数字视频信号模块及解码、数字伽玛矫正，RGB增益掌控、灰度同构、D/A切换、行列扫瞄、像素驱动阵列、串行通信、逻辑掌控、温度传感器、DC/DC切换等功能模块构成。　　图3驱动电路芯片功能结构图　　Fig.。

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